Publié le 2025-10-26 09:44:00. La Chine réalise des avancées majeures dans les technologies de lithographie et de photorésist, ouvrant la voie à une production de semi-conducteurs plus performante et indépendante. Ces progrès, issus de recherches menées par l’Université de Pékin, visent à réduire significativement les défauts dans la fabrication des puces.
- Une nouvelle méthodologie de cryo-tomographie électronique a permis de comprendre pour la première fois l’interaction des molécules de photorésist en 3D dans un environnement liquide.
- Cette approche a conduit au développement d’une solution industrielle capable de réduire les défauts de lithographie de 99 %.
- Ces avancées stratégiques renforcent l’autosuffisance technologique de la Chine dans le secteur des semi-conducteurs.
Dans un effort concerté pour renforcer son indépendance technologique dans le domaine des semi-conducteurs, la Chine annonce des avancées significatives dans les technologies de lithographie et de photorésist. Ces développements, relayés par le *Science and Technology Daily*, promettent une amélioration substantielle des rendements de production et de la qualité des dispositifs. Les segments en amont et en aval de la chaîne industrielle des semi-conducteurs semblent ainsi bénéficier d’un élan technologique majeur.
Une équipe de recherche du Collège de chimie et d’ingénierie moléculaire de l’Université de Pékin, en collaboration avec des partenaires industriels, a utilisé la cryo-tomographie électronique (cryo-ET). Cette technique novatrice a permis une analyse sans précédent des structures microscopiques tridimensionnelles, de la distribution des interfaces et du comportement d’intrication des molécules de photorésist, le tout dans des conditions réalistes de processus liquide. Les découvertes qui en ont résulté ont directement orienté le développement d’une solution industrielle visant à minimiser les défauts inhérents aux processus de lithographie.
Ces résultats prometteurs ont été publiés le 30 septembre 2025 dans la prestigieuse revue *Nature Communications*. Pour les observateurs du marché, cette prouesse technologique constitue un jalon important pour l’industrie chinoise des équipements de fabrication de semi-conducteurs.
La lithographie, processus clé dans la fabrication des circuits intégrés (CI), repose intrinsèquement sur l’évolution des procédés de fabrication. La photorésist, quant à elle, est un matériau essentiel utilisé dans les machines de lithographie avancées. L’équipe de recherche rapporte que leur nouvelle méthode a permis de réduire de 99 % les résidus de polymères lors du développement des motifs, en empêchant l’enchevêtrement des polymères à l’interface gaz-liquide sur une tranche de 12 pouces, tout en éliminant les défauts. « Le protocole démontre également une fiabilité et une répétabilité exceptionnelles », a souligné Wang Hongwei, l’un des chercheurs impliqués.
Peng Hailin, directeur de l’équipe de recherche, estime que cette avancée permettra de faire progresser le contrôle des défauts et d’accélérer les rendements dans des étapes critiques telles que la lithographie, la gravure et le nettoyage humide lors des processus de fabrication de pointe. Cela devrait injecter un nouvel élan dans l’amélioration des performances des puces.
Parallèlement à cette avancée, la demande croissante pour les semi-conducteurs et l’expansion des fabricants chinois stimulent le marché de la résine photosensible. Selon les prévisions d’une société de services de recherche, la taille du marché chinois des photorésists devrait dépasser 11,4 milliards de yuans (environ 1,6 milliard de dollars) en 2024. L’accent mis sur la substitution des produits importés de milieu et haut de gamme, comme la photorésist KrF, devrait s’intensifier. Le marché des photorésists pourrait ainsi atteindre 12,3 milliards de yuans dès 2025, selon des informations rapportées vendredi par le *Securities Times*.