Publié le 22 février 2024 01:35:00. Samsung a démarré la production de masse de sa nouvelle mémoire HBM4, une technologie cruciale pour l’intelligence artificielle et le calcul haute performance, et a déjà commencé à la livrer à ses clients.
- La HBM4 atteint une vitesse de transfert de données de 11,7 Gbit/s par broche, soit une augmentation de 270 % par rapport à la génération précédente (HBM3E).
- Cette nouvelle mémoire offre une bande passante de 3,3 téraoctets par seconde (To/s) et une efficacité énergétique améliorée de 40 %.
- Samsung prévoit une forte demande pour la HBM4 cette année, avec des ventes estimées à trois fois supérieures à celles de l’année précédente.
Samsung Electronics a officiellement lancé la production en série de sa mémoire HBM4 (High Bandwidth Memory de quatrième génération) et a confirmé l’expédition des premiers exemplaires à ses partenaires. Cette avancée technologique est conçue pour répondre aux besoins croissants en puissance de calcul, notamment dans le domaine de l’intelligence artificielle (IA), où les performances sont primordiales.
La HBM4 se distingue par des vitesses de transfert de données atteignant 11,7 gigabits par seconde (Gbit/s) par broche. Avec un total de 2 048 broches, la bande passante résultante s’élève à 3,3 téraoctets par seconde (To/s), surpassant de 270 % les capacités de la génération précédente, la HBM3E. Cette performance est rendue possible grâce à l’utilisation d’un procédé de fabrication DRAM de sixième génération, appelé « 1c » et basé sur une technologie de 10 nanomètres, combiné à une fabrication de puces logiques en 4 nanomètres.
Samsung a non seulement respecté, mais dépassé les normes établies par JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) lors du processus de standardisation de la HBM4. Alors que JEDEC avait initialement prévu une vitesse de bande passante par broche de 8 Gbit/s (contre 9,6 Gbit/s pour la HBM3E), Samsung a démontré une capacité à atteindre 11,7 Gbit/s, ouvrant la voie à de futures améliorations, avec l’objectif de parvenir à 13 Gbit/s.
L’augmentation du nombre de broches, passant à 2 048, double la capacité de transfert de données, ce qui se traduit par une augmentation significative de la bande passante globale. Cette approche présente également des avantages en termes d’efficacité énergétique et de gestion thermique, des aspects cruciaux pour les appareils informatiques soumis à des charges de travail intenses.
La HBM4 de Samsung est construite sur une architecture à 12 couches, offrant une capacité de mémoire comprise entre 24 et 36 gigaoctets (Go). L’entreprise prévoit d’étendre cette conception à 16 couches pour atteindre une capacité maximale de 48 Go, en fonction des exigences du marché. Cette technologie permet de produire des composants de grande capacité tout en maintenant des performances élevées.
L’efficacité énergétique est améliorée jusqu’à 40 % grâce à l’utilisation de vias à travers le silicium (TSV) basse tension et d’une nouvelle conception du réseau de distribution d’énergie. Sur le plan thermique, la résistance thermique a été réduite de 10 %, tandis que la capacité de dissipation thermique a augmenté de 30 % par rapport à la HBM3E.
Samsung anticipe une forte augmentation de la demande pour la HBM4 tout au long de l’année en cours, estimant que les ventes seront multipliées par trois par rapport à l’année précédente. En conséquence, l’entreprise renforce sa capacité de production pour répondre à cette demande croissante, en particulier dans les secteurs des serveurs de centres de données et des dispositifs d’IA.
Parallèlement, Samsung travaille déjà sur le développement de la HBM4E, une évolution de la HBM4. Les premiers échantillons de HBM4E devraient être disponibles au second semestre de cette année, et l’entreprise prévoit de proposer des mémoires HBM personnalisées pour répondre aux besoins spécifiques de ses clients dans l’année à venir.
« La sélection des nœuds de fabrication les plus avancés, tels que la DRAM 1c et la logique 4 nm, s’inscrit dans notre stratégie agressive visant à améliorer considérablement les performances et à élargir les possibilités de futures mises à niveau technologiques. »
Sang Joon Hwang, Vice-président exécutif et responsable du développement de la mémoire chez Samsung Electronics
Le développement de la HBM4 et la préparation du lancement de la HBM4E confirment la position de leader de Samsung sur le marché de la mémoire haute vitesse. Ces composants sont essentiels à l’informatique moderne, en particulier pour les applications d’IA et les centres de données à grande échelle. L’amélioration de l’efficacité énergétique et de la gestion thermique sont des innovations clés pour répondre aux besoins croissants de l’industrie mondiale.
Avec ses nombreux avantages et un plan de modernisation structuré, Samsung réaffirme son engagement à fournir des technologies de mémoire haute performance capables de soutenir les avancées de l’informatique à l’ère numérique, et d’accélérer l’innovation dans divers secteurs de pointe.